一、高流速，低壓力和清洗頻率
 

　　(1)清洗的流速
 

　　裝置運行時，附著性高的粒子狀污染物逐漸堆積在膜表面。如果清洗時的流速與運行時的流速相等或更低，則很難把這些污染物從膜元件中清洗出來。
 

　　(2)清洗壓力
 

　　正常高壓運轉時，壓力直接垂直作用膜面，使進水透過膜面得到產水，同時污染物也被壓向膜面。所以在清洗時，如果采用同樣的高壓，則污染物被積壓在膜表面，清洗的效果就會降低。清洗時盡可能的通過低壓，高流速的方式，增加水平方向的剪斷力把污染物沖岀膜元件。
 

　　(3)清洗頻率條件允許的情況下，建議經常對系統進行清洗。增加清洗的次數比延長1次清洗的時間更為有效般清洗的頻率。
 

　　(3)化學清洗：主要是通過化學藥劑對濾膜進行清洗，所以要選擇適宜的化學藥劑。
 

　　二、因素：
 

　　(1)首先要與設備制造商、R0膜元件廠商R0特用化學藥劑及服務人員取得聯系。確定主要的污染物，選擇合適的化學淸洗藥劑。
 

　　(2)有時針對某種特殊的污染物或污染狀況，要使用RO藥劑制造商的專用化學淸洗藥劑，并且在應用時，要遵循藥劑供應商提供的產品性能及使用說明。
 

　　(3)特殊情況下可針對具體情況，從反滲透裝置取岀已發生污染的單支膜元件進行測試和清洗試驗，以確定合適的化學藥劑和清洗方案。
 

　　三、EDI模塊清洗操作步驟：
 

　　1.濃水室結垢清洗；
 

　　2.記錄清洗前所有數據；
 

　　3.分離EDI膜塊與其他設備的連接管路；
 

　　4.連接清洗裝置(見清洗流程圖)，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產水閥；
 

　　5.在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液；
 

　　6.啟動清洗泵，調節濃水進水閥，以規定的流量循環清洗(酸洗步驟)。(參見附表)停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝；
 

　　7.向清洗水箱連續注入清水(RO產水)，啟動清洗泵連續清洗(沖洗步驟)；
 

　　8.打開EDI進水閥和產水閥，同時對兩個水室進行沖洗；
 

　　9.檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近；
 

　　10.各個閥門，恢復原始各設計流量數據；
 

　　11.恢復EDI各個管路與其他系統的連接；
 

　　12.開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。